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FORNARI, C. I.; FORNARI, G.; RAPPL, P. H. O.; ABRAMOF, E.; TRAVELHO, J. S. Formation of structural defects during Bi2Te3 epitaxy investigated by a Monte Carlo computational model. In: BRAZILIAN WORKSHOP ON SEMICONDUCTOR PHYSICS, 18. (BWSP), , Maresias, SP. Resumos... 2017. IBI: <8JMKD3MGP3W34P/3PGF64P>. Disponível em: <http://urlib.net/ibi/8JMKD3MGP3W34P/3PGF64P>.
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... como proposto por Fornari et al. (2017).
... pode ser encontrada na literatura (FORNARI et al., 2017).